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15-1FLASH闪存

FLASH闪存

•STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分,通过闪存存储器接口(外设)可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
•读写FLASH的用途:
  利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
  通过在程序中编程(IAP),实现程序的自我更新
•在线编程(In-Circuit Programming – ICP)用于更新程序存储器的全部内容,它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序(Bootloader)下载程序
•在程序中编程(In-Application Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

闪存模块组织

闪存模块组织
主存储器,就是程序存储器。
启动程序代码,就是系统存储器。
用户选择字节,就是选项字节。
闪存存储器接口寄存器就是闪存的管理员,擦除和编程通过这些寄存器完成。

FLASH基本结构

FLASH基本结构

FLASH解锁

类似W25Q64的写使能,操作stm32的FLASH寄存器之前需要解锁,目的是为了防止误操作。

•FPEC共有三个键值:
RDPRT键 = 0x000000A5
KEY1 = 0x45670123
KEY2 = 0xCDEF89AB

•解锁:
  复位后,FPEC被保护,不能写入FLASH_CR
  在FLASH_KEYR先写入KEY1,再写入KEY2,解锁
  错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR
•加锁:
  设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR

使用指针访问存储器

•使用指针读指定地址下的存储器:
  uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
•使用指针写指定地址下的存储器:
  *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;
•其中:
  #define    __IO    volatile

程序存储器编程

程序存储器编程

程序存储器页擦除

程序存储器页擦除

程序存储器全擦除

程序存储器全擦除

选项字节

选项字节
•RDP:写入RDPRT键(0x000000A5)后解除读保护
•USER:配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
•Data0/1:用户可自定义使用
•WRP0/1/2/3:配置写保护,每一个位对应保护4个存储页(中容量)

选项字节编程

•检查FLASH_SR的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作
•解锁FLASH_CR的OPTWRE位
•设置FLASH_CR的OPTPG位为1
•写入要编程的半字到指定的地址
•等待BSY位变为0
•读出写入的地址并验证数据

选项字节擦除

•检查FLASH_SR的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作
•解锁FLASH_CR的OPTWRE位
•设置FLASH_CR的OPTER位为1
•设置FLASH_CR的STRT位为1
•等待BSY位变为0
•读出被擦除的选择字节并做验证

器件电子签名

•电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域,包含的芯片识别信息在出厂时编写,不可更改,使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名
•闪存容量寄存器:
  基地址:0x1FFF F7E0
  大小:16位
•产品唯一身份标识寄存器:
  基地址: 0x1FFF F7E8
  大小:96位